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Common Emitter
15
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 13 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Eoff
12
R L = 20 ?
T C = 25 ℃
V CC = 100 V
300 V
1000
100
Eon
Eoff
9
6
3
0
200 V
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
100
I C MAX. (Pulsed)
50us
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
100
10
I C MAX. (Continuous)
DC Operation
1 ?
100us
10
1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
0.1
linearly with increase
in temperature
1
Safe Operating Area
V GE = 20V, T C = 100 ℃
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
1
0.5
0.2
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm × Zthjc + T C
1E-3
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH15N60RUFD Rev. A1
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